在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
还有一个例子：用 Google Keep 笔记列举了烧烤派对的出席名单，并标注了素食主义者。Gemini 可以先计算好整个派对总共需要多少热狗和面包，然后再让它去采购食材，几分钟后商品全部被安放在了 DoorDash 平台的购物车里。
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